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    2. 信息存储应用技术
      • 通过对单元串的选择晶体管进行编程来保护数据的闪存装置和包括该闪存装置的数据存储装置的制作方法
        本发明构思涉及半导体存储器装置,更具体地讲,涉及通过对选择晶体管进行编程来保护数据的闪存装置和包括该闪存装置的数据存储装置。半导体存储器装置通常被分类为易失性存储器装置(诸如,dram或sram)和非易失性存储器装置(诸如,eeprom、fram、pram、mram或闪存)。易失性存储器装...
      • 控制在编程操作期间通过相关电子开关元件的电流的制作方法
        本公开总体涉及相关电子开关元件,并且更具体地,涉及控制在编程操作期间通过相关电子开关元件的电流。可以在各种电子设备中的各种电子电路类型中找到诸如电子开关器件之类的集成电路器件。例如,存储器、逻辑、模拟和/或其他电子电路类型可以包含可在计算机、数码相机、蜂窝电话、平板设备、个人数字助理等中使...
      • 组对组数据传送的制作方法
        本公开大体上涉及半导体存储器和方法,且更确切地说,涉及用于组对组数据传送的设备和方法。存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要功率来维持其数据(例如主机数据、误差数据等)且包含随机存取存储器...
      • 用于预充电及刷新控制的方法及设备与流程
        高数据可靠性、高速存储器存取及减小芯片大小是半导体存储器所要求的特征。近年来,一直致力于提高半导体存储器装置的存取速度。例如,可在支持所谓的每库刷新的半导体存储器装置上刷新多库半导体存储器装置的一个库。就每库刷新来说,当在后台刷新一个库时,可继续对存储器阵列的其它库的读取或写入存取。为起始...
      • 用于在存储器装置中提供恒定DQS-DQ延迟的设备及方法与流程
        与存储器装置相关联的外部控制器可结合针对所述存储器装置的写入操作采用dqs-dq延迟。根据本发明的dq信号是携载从外部控制器写入到存储器装置的数据的信号。dqs信号是数据选通信号,其从外部控制器向存储器提供指示,表明dq信号线上有可用数据供存储器捕获。可通过存储垫在存储器处接收dqs信号,...
      • 取向装置、磁记录介质的制造方法和磁记录介质与流程
        本技术内容涉及诸如对包含在磁性涂覆膜中的磁性粉末颗粒的进行取向的取向装置的技术。近年来,磁记录介质已被广泛用于各种目的,诸如电子数据项的存储。通常,磁记录介质包括膜状基部、形成在基部上的非磁性层和形成在非磁性层上的磁性层。例如,磁性层如下形成。首先,在非磁性层上形成包含磁性粉末颗粒并处于湿...
      • 磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及使用了该磁盘用铝合金基板的磁盘与流程
        本发明涉及高强度且具有良好的颤振(fluttering)特性的磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及使用了该磁盘用铝合金基板的磁盘。被用于计算机的存储装置的磁盘使用具有良好的镀敷性且机械特性及加工性优异的基板来制造。例如,由以jis5086(含有mg:3.5~4.5mass%、fe:0.50m...
      • 一种整合USB2.0和USB3.0通讯芯片的测试电路以及测试架的制作方法
        本发明涉及到存储芯片测试领域,特别是涉及到一种整合usb2.0和usb3.0通讯芯片的测试电路以及测试架。存储芯片在上市前,需经过测试,测试具体内容是测试存储芯片的数据传输速度和文件拷贝的错误率等。在现有技术测试中,测试人员将待测试的存储芯片通过cob方式(chipsonboard,板上芯...
      • 半导体故障分析装置及其故障分析方法与流程
        相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0069584的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。与示例实施例一致的方法和装置涉及半导体器件,更具体地,涉及半导体故障分析装置及其故障分析方法。半导体器件是通过各种工艺制造的。随...
      • 用以测试记忆体的装置的制作方法
        本揭露是关于一种用以测试记忆体的装置,特别是关于一种汉明距离(hammingdistance)分析器及其分析方法。由于许多制程因素的缘故,即使集成电路是以相同的制程及相同的材料所制造,每一个集成电路(integratedcircuit,ic)都是独特的。每一个集成电路都有机会根据其实际应用...
      • 半导体装置和包括该半导体装置的测试系统的制作方法
        相关申请的交叉引用本申请要求2018年6月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0070328的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。各种实施例总体而言涉及一种半导体电路,以及更具体地,涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的测试系统。半导体装置(例如,半导体存...
      • Flash器件耐久性能测试方法与流程
        本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种flash器件耐久性能测试方法。在所有的闪存器件(flash)测试项目中,耐久性能是衡量器件可靠性的必要测试项目,耐久性(endurance)是器件在反复写入和擦除多次之后,其阈值电压的变化趋势,通常的业界标准在10万~100万次的编程、擦除循环。传...
      • 一种FTL掉电测试方法、系统、装置及存储介质与流程
        本发明涉及闪存领域,特别是一种ftl掉电测试方法、系统、装置及存储介质。nandflash作为一种非易失性的存储设备,受到越来越广泛的应用。受限于自身的物理特性和产品应用领域,nandflash算法的设计需要充分考虑掉电场景。使用nandflash的电子产品允许掉电时正在编程的page数据...
      • 半导体器件的制作方法
        相关申请的交叉引用本申请要求在2018年6月19日提交的申请号为10-2018-0070045的韩国专利申请的优先权,其公开的全部内容由此通过引用合并于此。本公开的实施例总体而言涉及半导体器件,并且更具体地涉及一种被配置为用冗余单元代替有缺陷单元的修复电路的技术、以及用冗余单元代替有缺陷单元的方法...
      • 存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质与流程
        本发明涉及半导体存储器,特别是涉及一种存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质。nand闪存是一种非易失性储存器,具有成本低、功耗小及存储容量大的优点。nand闪存的存储单元(memorycell)通过设置不同的阈值电压以区分存储状态。而不同的阈值电压区间之间如间隔较小,就会降...
      • 一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置与流程
        本发明涉及非易失性存储器擦除,特别涉及一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法和装置。在非易失性存储器产品测试和使用过程中,都会进行电擦除操作,随着制造工艺的日益更新迭代,可以支持的同时擦除的非易失性存储单元越来越多,由于存储单元的电性特征不一,同时,为了加快擦除步骤的过程,一般都会...
      • 一种带PCIe接口量产器用于固态硬盘的量产方法与流程
        本发明涉及固态硬盘(ssd),更具体地说是一种带pcie接口量产器用于固态硬盘的量产方法。nvme(non-volatilememoryexpress)ssd是一种基于pcie(peripheralcomponentinterconnectexpress)接口并搭载nvme协议的s...
      • 其中具有增强的擦除控制电路的非易失性存储器器件的制作方法
        优先权申请的引用本申请要求于2018年6月18日提交的韩国专利申请第10-2018-0069630号的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本发明构思涉及非易失性存储器器件以及,更具体地,涉及其中具有擦除控制电路的非易失性存储器器件。最近,随着信息通信设备变得更加多功能化,需要增加存储器器...
      • 存储装置以及该存储装置的操作方法与流程
        相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月20日提交的申请号为10-2018-0071091的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用整体并入本文。本发明的各种实施例总体涉及一种电子装置。特别地,实施例涉及一种存储装置以及该存储装置的操作方法。存储装置可响应于诸如计算机、智能手机以及...
      • 存储装置及存储装置的操作方法与流程
        相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月20日提交的申请号为10-2018-0071090的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。本发明的各个实施例总体涉及一种电子装置。特别地,实施例涉及一种存储装置及该存储装置的操作方法。存储装置可响应于诸如计算机、智能手机...
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