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    2. 无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
      • 一种制备有机半导体分子单晶或无定型物的方法与流程
        本申请要求2018年10月30日向中国国家知识产权局提交的专利申请号为2018112792071,发明名称为“一种制备与培养有机半导体分子的单晶的方法”的在先申请的优先权,该在先申请的全文通过引用的方式结合于本申请中。本发明涉及单晶或无定型物的制备,具体是涉及一种利用溶液冻结诱导有机半导体...
      • 一种GaN单晶衬底的制备方法与流程
        本发明涉及半导体材料,特别是涉及一种gan单晶衬底的制备方法。以gan材料为主的iii-v族氮化物材料(又称gan基材料)是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在光电子/微电子领域中有着广泛的应用前景,目前,商业化的gan单晶衬底的制备方法主要是氢化物气相外延(hvpe)方法,...
      • 一种Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的制备方法与流程
        本发明涉及晶体材料制备,具体说是一种cs2agbibr6型双钙钛矿晶体制备方法。最近有机-无机杂化钙钛矿材料(ch3nh3pbx3,x=i,br,cl)因其在太阳能电池、发光二极管、光电探测器等领域表现出了优异的光学性质和电学性质而得到广泛的关注。然而,这类材料含有有毒的重金属元素...
      • 一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法与流程
        本发明涉及钙钛矿发光材料制备和晶体生长领域,具体涉及一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法。当前的液晶显示技术主要采用蓝光二极管与绿光、红光、黄光等发光材料相结合的方案。为了在显示中真实地还原实物的色彩,实现较广的色域,这就要求红、绿、黄等荧光材料具有很高的色纯度,具体要求是相应的发光光谱...
      • 一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法与流程
        本发明涉及金刚石制备,特别是涉及一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法。单晶金刚石具有优异的物理化学性能,在机械、电子和珠宝等领域具有重要的应用价值,为了拓展这些应用,需要制备出大颗粒金刚石。在各种金刚石制备方法中,微波等离子体化学气相沉积法以其等离子体功率密度高、无电极放电污染和性能稳定...
      • 一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法与流程
        本发明涉及一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。金属在人类历史发展过程中一直占据着非常重要的位置,继石器时代之后出现的铜器时代、铁器时代,均以金属材料的应用为其时代的显著标志。在当代,种类繁多的金属被广泛地应用于电气、轻工、机械制造、建筑工业、国防工业等领域,极大地推动着社会的进...
      • 一种用于锑化铟区域提纯的装置及方法与流程
        本发明涉及一种用于锑化铟区域提纯的装置及方法,属于光电材料。锑化铟是ⅲ-ⅴ族化合物半导体中禁带宽度最窄,迁移率最大的材料,其物理、化学性能稳定,被广泛应用于红外探测器及霍尔器件等方面。红外探测器的量子效率与选用的红外敏感材料密切相关,而锑化铟在3μm~5μm波段具有很高的量子效率,...
      • 一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法与流程
        本发明属于半导体,具体涉及一种高质量κ-ga2o3薄膜的制备方法。氧化镓(ga2o3)是一种超宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高,光电性能良好等特征,在光电子器件和功率半导体器件领域有广阔的应用前景。研究报道,ga2o3至少有5种物相,分别是α,β,γ,κ,δ。目前,针对...
      • 一种晶体提拉生长装置的制作方法
        本发明涉及晶体生长设备,尤其是涉及一种晶体提拉生长装置。钽铌酸钾(kta1-xnbxo3,简称ktn)晶体是铌酸钾(knbo3,简称kn)和钽酸钾(ktao3,简称kt)的固熔体混晶,是目前所发现的具有最大二次电光效应的晶体,同时也是最早发现的具有光折变性质的几种晶体之一;与kt和...
      • 一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法与流程
        本发明涉及一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。金属在人类历史发展过程中一直占据着非常重要的位置,继石器时代之后出现的铜器时代、铁器时代,均以金属材料的应用为其时代的显著标志。在当代,种类繁多的金属被广泛地应用于电气、轻工、机械制造、建筑工业、国防工业等领域,极大地...
      • 半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶的制作方法
        本发明涉及一种半绝缘性化合物半导体基板和半绝缘性化合物半导体单晶。在无线通信、光通信等中,半绝缘性化合物半导体基板已经被常规广泛用作负责发送和接收、信号处理等的器件的材料。例如,日本特开平02-107598号公报(专利文献1)、日本特开平10-291900号公报(专利文献2)、日本...
      • 本发明涉及硫酸镁颗粒在生产固体含脲肥料组合物中的用途。本发明还涉及固体、自由流动形式的肥料组合物,包含硫酸镁颗粒和固体形式的脲,并且涉及生产这些颗粒的方法。即使镁是第八最常见的元素,在地壳中的含量为约1.94%,但土壤中通常仍缺乏镁。因此,镁盐被广泛用作肥料或肥料添加剂。更特别地,硫酸镁经常以一水...
      • 在没有高温燃尽材料下制备具有增强孔结构的多孔体的制作方法
        相关申请的交叉引用本发明要求于2017年5月15日提交的美国临时专利申请no.62/506,301的权益,每个申请的全部内容和公开内容通过引用的方式并入本文。本发明涉及多孔体,并且更具体地涉及具有增强的孔结构的多孔体,所述多孔体可以利用前体混合物制备,孔结构在前体混合物的热处理期间促进气体的传输/...
      • 耐火制品、用于涂覆耐火制品的组合物以及耐火制品的制造方法与流程
        本申请要求2017年05月16日提交的韩国专利申请序列第10-2017-59563号的优先权,其是本申请的依托并且其全文通过引用结合入本文,如下所详述。本公开涉及耐火制品、用于涂覆耐火制品的组合物以及耐火制品的制造方法,更具体地,涉及耐火制品、用于涂覆耐火制品的组合物以及耐火制品的制造方法,它们能...
      • 陶瓷的制作方法
        本发明涉及表现出压电行为的陶瓷,其包含(或基本上由以下组成)含有bi、k、ti、pb、fe、sr和o且基本上不含非钙钛矿相的固溶体。本发明还涉及该陶瓷的制造方法和如压电致动器、传感器和能量采集器等其中使用该陶瓷的产品。本发明进一步涉及如喷墨打印头等液滴沉积头,其中使用包括该陶瓷的压电致动器。背景技...
      • 氧化物烧结材料和制造所述氧化物烧结材料的方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法与流程
        本发明涉及氧化物烧结材料和制造所述氧化物烧结材料的方法、溅射靶、氧化物半导体膜和制造半导体器件的方法。本申请要求于2017年5月16日提交的日本专利申请第2017-097405号和于2017年12月4日提交的国际申请pct/jp2017/043425的优先权的权益,并通过参考将所述日本专利申请和国...
      • 本发明涉及新拌混凝土和用于制备混凝土的干混合物。此外,本发明涉及由这种混凝土制成的混凝土建筑元件或预制件。本发明还涉及制备这种新拌混凝土的方法。根据合格的估算,全世界每年产生大约65亿吨惰性建筑和拆除废料。这种废料绝大部分堆积在垃圾填埋场和垃圾堆,并且只有相对较小的部分被使用或加工-但是当...
      • 压缩盐物体的制作方法
        本公开内容涉及压缩盐物体、其制备方法及其用途。背景食品级盐被压缩成固体块和砖块,并且作为用于牛和马的食物补充剂在世界范围内销售,其中动物通过舔舐盐块表面将一些盐溶解在它们的唾液中。盐的压缩提供了适合于动物饲料补充剂的目的,但不足以允许在需要防止盐溶解的应用中使用盐块的低的溶解速率。由于作为世界上在...
      • 可持续的建筑材料及其制备方法和用途与流程
        本发明涉及建筑材料、特别是可持续的建筑材料及其制备方法和用途。近年来,为了减少对环境的影响,在世界各地的建筑业中有必要开发可持续的建筑材料。例如,据报道,除采石和采矿作业本身产生的高碳排放外,用于建筑业的砂提取还与生态系统的破坏以及对河流和海洋生态系统的破坏有关(bournedjema等人...
      • 宏观水泥组合物、宏观水泥的生产方法和宏观水泥的工程化形式以及制备胶结材料的多级均质工艺与流程
        本发明涉及一种宏观水泥,并且更具体地,涉及由具有或不具有涂覆有亚微米或纳米级颗粒或其组合的火山灰颗粒的微米级胶结材料生产宏观水泥的方法。世界上使用最广泛的建筑材料部分或全部由胶结材料,特别是混凝土构成。混凝土通常是指天然和/或人造骨料的混合物,例如沙子和砾石或碎石,它们通过水泥浆料的粘合剂...
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